Програма Предмет: моделювання в електроніці icon

Програма Предмет: моделювання в електроніці




Скачати 47.03 Kb.
НазваПрограма Предмет: моделювання в електроніці
Дата конвертації30.05.2013
Розмір47.03 Kb.
ТипПрограма

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

Львівський національний університет імені Івана Франка

Факультет електроніки

Кафедра електроніки


ЗАТВЕРДЖУЮ

Декан факультету електроніки

__________________ проф. Половинко І.І.

„8” вересня 2006 р.


РОБОЧА НАВЧАЛЬНА ПРОГРАМА


Предмет: “моделювання в електроніці

спеціальність 6.090800 - "Фізична і біомедична електроніка"

спеціалізації - "біомедична електроніка", "медична сенсорика"

факультет електроніки, форма навчання – денна


Витяг з навчального плану

Семестр

К-ть ауд.

годин

У т.ч.

К-сть год.

СР


КР


КП


Заліки


Іспити

Л

П,С

ЛР

7

72

36

-

36

36

-

-

3

-




Розглянуто на засіданні

кафедри електроніки

прот. 6 від „31” серпня 2006р.


Завідувач кафедри


_______________проф. Б.В. Павлик

Рекомендовано методичною радою

факультету електроніки

„6” вересня 2006 р.


Голова метод ради


_________________доц. О.М. Бордун




  1. АНОТАЦІЯ


Мета курсу – ознайомити студентів з багаторівневим підходом до моделювання інтегральних мікросхем, сформувати практичні навики моделювання інтегральних мікросхем та напівпровідникових приладів від технології їх створення до функціонування приладів і схем, з описом відповідних моделей, алгоритмів та програмного забезпечення.

Курс спирається на дисципліни „Вища математика”, „Загальна фізика”, „Основи програмування та алгоритмічні мови”.


^ 2.ЗМІСТ ПРОГРАМИ


Напівпровідникові матеріали. Статистика носіїв. Власні та леговані напівпровідники. Моделювання положення рівня Фермі, концентрації носіїв, кінетичних ефектів в напівпровідниках. (6 годин).

Напівпровідникові переходи. Контактна різниця потенціалів. Моделювання параметрів напівпровідникових переходів (4 години).

Кремнієва технологія. Методи створення структур на основі кремнію та сполук систем ІІІ-V та II-VI. Перспективи підвищення ступені інтеграції та швидкодії кремнієвих мікросхем. Моделі технологічних процесів виготовлення інтегральних мікросхем. Етапи технологічних процесів. Фізичні основи та моделі іонного легування. Моделювання іонного легування в багатошарових структурах методом підбору доз. Теорія та моделювання процесів дифузії. Дифузія бору, миш’яка, сурми та фосфору. Програмна реалізація одномірного та двомірного моделювання технологічних процесів з рухомою та нерухомою границею при розгляді граничних процесів. (10 годин).

Моделі термічного окислення. Теорія хімічної кінетики. Термодинамічний та кінетичний підходи до окислення. Чисельне моделювання процесу епітаксійного нарощування. Моделювання процесу оптичної літографії, процесів травлення та осадження. (6 годин).

Фізико-топологічні моделі напівпровідникових структур. Основне рівняння напівпровідника. Дискретизація рівнянь неперервності, різницеві апроксимації рівнянь густини струму. Схеми дискретизації фундаментальної системи рівнянь напівпровідникових структур. Нормування ФСУ. Моделі процесів генерації-рекомбінації. Граничні умови в чисельному моделюванні напівпровідникових структур. Особливості фізичних явищ в субмікронних напівпровідниках, квазігідродинамічне наближення, дифузійно-дрейфове наближення. Програми стаціонарного та нестаціонарного моделювання напівпровідникових структур. (6 годин).

Питання надійності та деградації приладів електроніки. Класифікація деградаційних процесів та основні релаксаційні функції. Моно та бімолекулярна релаксація. Застосування граничних умов та вибір деградаційних функцій (4 години).


^ 3. Зміст лабораторних занять



  1. Чисельне визначення положення рівня Фермі та концентрації носіїв в напівпровідниках різних типів (8 годин).

  2. Моделювання кінетичних ефектів в напівпровідниках (4 години).

  3. Моделювання процесу іонного легування (2 години).

  4. Моделювання дифузійних процесів (4 години).

  5. Моделювання процесу термічного окислення (4 години).

  6. Моделювання процесу епітаксії (4 години)

  7. Моделі процесів рекомбінації – генерації (4 години).

  8. Моделювання деградаційних процесів структур електроніки (4 години).

  9. Залікове заняття (2 години).




  1. ^ ОСНОВНА ТА ДОДАТКОВА ЛІТЕРАТУРА




  1. Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. –М.:Высш.шк.,1989.

  2. Польский Б.С. Численное моделирование полупроводниковых приборов. - Рига: Зинатне,1986.

  3. К.Жаблон, Ж.-К.Симон Приминение ЭВМ для численного моделирования в физике. М.:Наука, 1983.

  4. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников.-М.:Наука, 1979.

  5. Самарский А.А., Николаев Е.С. Методы решения сеточных уравнений. М.:Наука, 1978.

  6. Самарский А.А. Теория разностных схем. М.:Наука, 1983.

  7. Бабич  О.Й.  Моделювання  процесів  іонної  імплантації  у  разі  виготовлення  напівпровідникових  приладів    та    інтегральних  схем.  Методичні    рекомендації  до  лабораторних  робіт  для  студентів  фізичного  факультету.    Львів.    Видав.  центр  ЛНУ, 2002, 35  с.

  8. Бабич  О.Й.,  Бойко  Я.В.  Моделювання  дифузійних  процесів  у  разі  виготовлення  напівпровідникових  приладів    та    інтегральних  схем.  Методичні    рекомендації  до  лабораторних      робіт  для  студентів  факультету  електроніки.    Львів.    Видав.  центр  ЛНУ,  2004, 31  с.


. Програму склав ас. Балицький О.О.



Схожі:

Програма Предмет: моделювання в електроніці iconПрограма предмет Плівкове матеріалознавство (Р-42)
Програма охоплює матеріалознавство плівкових структур, що застосовуються в мікроелектроніці. Особлива увага приділяється сучасним...
Програма Предмет: моделювання в електроніці iconПрограма предмет: моделювання фізичних процесів та технологій спеціальність 070203 "Прикладна фізика" факультет електроніки, форма навчання денна
Курс спирається на дисципліни „Математичний аналіз”, „Вища алгебра”, „Диференціальні рівняння”, „Електрика і магнетизм”, „Програмування...
Програма Предмет: моделювання в електроніці iconПрограма предмет Структура І властивості кристалів (Р-32)
Сучасна техніка не мислима без самого широкого використання кристалів. Крім металів, їх сплавів до кристалів відносяться також напівпровідники,...
Програма Предмет: моделювання в електроніці iconПрограма предмет Апаратне забезпечення комп’ютерних технологій в електроніці
Складові частини пк, їх фізичні принципи роботи, технічні характеристики та можливості. Сучасні операційні системи та настроювання...
Програма Предмет: моделювання в електроніці iconФакультет електроніки. Кафедра електроніки “Затверджую”
Предмет: спецкурс “Системи перетворення енергії і передачі інформації в сенсорній електроніці”
Програма Предмет: моделювання в електроніці iconПрограма предмет Комп’ютери у фізичних дослідженнях
Фізика та електронно-обчислювальні машини. Комп’ютерне моделювання та комп’ютерні експерименти. Основні види комп’ютерних експериментів...
Програма Предмет: моделювання в електроніці iconПрограма Предмет Комп’ютерне моделювання сигналів і систем
Студентів знайомлять із спеціалізованими пакетами MatLab, такими як Signal Processing Toolbox, Control System Toolbox, Simulink....
Програма Предмет: моделювання в електроніці iconПрограма предмет Технологія напівпровідникових приладів та інтегральних схем (Р-42)
Курс присвячений аналізу фізичних проблем мікромініатюризації елементів напівпровідникових, гібридних та суміщених інтегральних мікросхем....
Програма Предмет: моделювання в електроніці iconПрограма спецкурс «Моделювання та аналіз аналогових І цифрових радіоелектронних схем» Спецiальнiсть: 070203 прикладна фiзика
У спецкурсі вивчаються методи формування математичних моделей радіоелектронних схем на макрорівні у вигляді системи звичайних диференційних...
Програма Предмет: моделювання в електроніці iconПрограма предмет: Інтелектуальна власність
Програма розроблена для підготовки спеціалістів і магістрів в рамках спеціальностей “Радіофізика”, “Прикладна фізика”, “Фізична та...
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©te.zavantag.com 2000-2017
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи