Програма предмет Фізико-хімічні основи матеріалознавства (Р-32) icon

Програма предмет Фізико-хімічні основи матеріалознавства (Р-32)




Скачати 47.29 Kb.
НазваПрограма предмет Фізико-хімічні основи матеріалознавства (Р-32)
Дата конвертації30.05.2013
Розмір47.29 Kb.
ТипПрограма

РОБОЧА НАВЧАЛЬНА ПРОГРАМА


Предмет Фізико-хімічні основи матеріалознавства (Р-32)

Спеціальність Радіофізика і електроніка № 7.070207

Факультет електроніки форма навчання денна


Виписка з навчального плану


№ семестра

К-ть ауд. годин

В т. числі

К-ть годин СР

КР

КП

Заліки

Іспити

Л

П.С.

ЛР

6

34

17



17

17

––



+

––

Всього





























АНОТАЦІЯ


Технологія процесів та матеріалів електронної техніки відіграє домінуючу роль у розвитку сучасної електронної промисловості. Ускладнення та модернізація виробництва, а також розширення номенклатури матеріалів для електроніки вимагають відповідної фахової підготовки спеціалістів - матеріалознавців, які повинні освоїти теоретичні основи технології.

В даному спецкурсі розглядаються фізико-хімічні закономірності динаміки процесів, що використовуються в технології матеріалів електронної техніки. Спецкурс читається після курсів “Радіоелектронне матеріалознавство”, “Структура та властивості матеріалів”, “Вибраних розділів хімії” і є логічним продовженням в ланці спецкурсів по спеціальності радіоелектронне матеріалознавство. Підібрані лабораторно-розрахункові роботи сприятимуть кращому засвоєнню теоретичного матеріалу і набуття практичних навиків ведення технологічних процесів отримання матеріалів для електроніки у майбутніх спеціалістів матеріалознавчого профілю.


^ ЗМІСТ ПРОГРАМИ


Загальна класифікація матеріалів електроніки з точки зору завершеності технологічного процесу виробництва пристроїв електронної техніки. Класифікація функціональних матеріалів електронної техніки по властивостях. Загальна характеристика технологічних процесів (ТП) матеріалів електронної техніки. Технологічна схема технологічних процесів. Елементарні стадії технологічних процесів. Класифікація технологічних процесів по характеру протікання в часі, по агрегатному стану взаємодіючих речовин. Технологічний режим технологічних процесів. Вихід продукту. Якість і собівартість продукції. Мікрокінетика технологічних процесів. Лімітуюча стадія. Інтенсифікація теплових процесів.

Елементи хімічної термодинаміки. Фізико-хімічні та хімічні перетворення. Термодинамічна система (ТС). Ізольовані та відкриті ТС. Стабільні квазістабільні (метастабільні та нестабільні ТС). Термодинамічні функції (ТФ): внутрішня енергія та ентальпія.

Хімічна рівновага закон діючих мас. Константа рівноваги і різні способи виразу складу реакційної суміші. Принцип зміщення рівноваги Ле Шательє. Залежність константи рівноваги від температури (рівняння ізобари та ізохори хімічної реакції). Абсолютні ентропії хімічних сполук. Залежність вільної енергії реакції від температури.

Умови рівноваги в гетерогенних системах. Правило фаз Гіббса. Однокомпонентні гетерогенні системи. Рівняння Клапейрона-Клаузіуса. Двохкомпонентні системи. Фазові переходи. Хімічний потенціал. Фазовий перехід І-го роду через метод хімічних потенціалів. Фазові переходи ІІ-го роду.

Твердофазні реакції. Механізм Вагнера. Ефект Кіркендаля. Фактори, які визначають швидкість реакції. Основи технології керамічних матеріалів. Аналіз впливу окремих стадій технологічного процесу на отримання кінцевого продукту. Кінетика твердофазних реакцій. Внутрітвердотільні перетворення. Перетворення без зміни хімічного складу: поліморфні перетворення, перетворення мартенситного типу. Перетворення зі зміною складу: розпад пересичених твердих розчинів.

Фізико-хімічні основи зародження та росту нової фази. Аналіз гомогенного і гетерогенного зародження нової фази. Вплив технологічних факторів зародження нової фази на структуру плівок. Ріст плівок. Епітаксія. Хімічний ріст монокристалічних епітаксіальних плівок. Основні моделі росту кристалів: з утворенням двохмірних зародків та механізм спірального росту.

Класифікація фізико-хімічних процесів розділення і очистки. Загальна характеристика чистоти речовини. Сорбційні процеси: абсорбція, іонний обмін. Процеси рідинної екстракції. Процеси перегонки через газову фазу: сублімація, дистиляція і ректифікація (технічна реалізація безперервного процесу дистиляції для промислового застосування). Глибока очистка за допомогою кристалізаційних методів. Рівноважний та ефективний коефіцієнт розподілу. Очистка речовин за допомогою хімічних транспортних реакцій. Інші процеси очистки, що ґрунтуються на відмінності фізико-хімічних властивостей розділюваних речовин.

Основи технології керамічних матеріалів. Фізико-хімічні основи процесів розчинення. Травлення поверхні твердого тіла. Розрахунок кінетичних параметрів очистки поверхні пластин. Часова деградація властивостей матеріалів. Різновиди відмов. Математичний опис деградаційних процесів в матеріалах електроніки.


Література


  1. Вест. А. Химия твердого тела. Теория и приложения: В 2-х ч.: Пер. с англ. - М.: Мир, 1988. - Ч.1. - 558 с. - Ч.2. - 336 с.

  2. Зюбрик А.И., Савицкий И.В. Радиоэлектронное материаловедение. - Львов: Львов. ун-т., 1981, - 128 с.

  3. Черняев В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. - М.: Высш. шк., 1987. – 376 с.

  4. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов. - М.: Высш. шк., 1990. – 423 с.

  5. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. - М.: Высш. шк., 1973. - 656 с.

  6. Стромберг А. Г., Семченко Д. П., Физическая химия. –М: Высш. шк., 1988. –496 с.

  7. Крапухин В.В., Соколов И.А., Кузнецов Г.Д. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. - М.: Металлургия, 1982, - 352 с.

  8. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. - М.: Металлургия, 1988, - 574 с.

  9. К. Хауффе. Реакции в твёрдых телах и на их поверхности. Из-во Иностранная литература, М.: Металургия, 1988, -574 с.

  10. Хенней Н. Химия твердого тела: Пер. с англ. - М.: Мир, 1971. - 224 с.

  11. Девятых Г.Г., Еллиев Ю.Е. Глубокая очистка веществ. - М.: Высш. шк., 1990. –192с.

  12. Угай Я. А. Введение в химию полупроводников. - М.: Высш. шк., 1975. - 302 с.

  13. Химические процессы в микроэлектронике. Учебное пособие под редакцией проф. В. З. Петровой, Москва, 1981,127 с.


Програму склав асистент Футей О. В.



Схожі:

Програма предмет Фізико-хімічні основи матеріалознавства (Р-32) iconПрограма предмет Фізико-хімічні І методичні основи росту кристалів (П-54)
Вивчаються закономірності росту кристалів, особливості протікання явищ в кристалізаційних апаратах. Розглядається кристалізаційний...
Програма предмет Фізико-хімічні основи матеріалознавства (Р-32) iconПрограма Предмет Електронні процеси переносу у напівпровідниках
Даний курс присвячений розгляду електронних процесів переносу у напівпровідниках та напівпровідникових структурах. Курс призначений...
Програма предмет Фізико-хімічні основи матеріалознавства (Р-32) iconПрограма Предмет Технологічні основи вакуумної електроніки
Вступ. Основи електровакуумного виробництва. Шляхи покращення якості електровакуумних приладів. Автоматизація процесів виробництва...
Програма предмет Фізико-хімічні основи матеріалознавства (Р-32) iconПрограма Предмет: моделювання в електроніці
Курс спирається на дисципліни „Вища математика”, „Загальна фізика”, „Основи програмування та алгоритмічні мови”
Програма предмет Фізико-хімічні основи матеріалознавства (Р-32) iconПрограма з біології для 10-11 класів загальноосвітніх навчальних закладів Академічний рівень Пояснювальна записка
Вступ. Програма призначена для навчання біології на академічному рівні у класах універсального, спортивного, математичного, фізичного,...
Програма предмет Фізико-хімічні основи матеріалознавства (Р-32) iconПравила внутрішнього розпорядку в шкільній майстерні. Організація робочого місця 1 Розділ Основи матеріалознавства 2
Узагальнення знань, отриманих учнями в початковій школі. Ознайомлення із змістом програми трудового навчання для 5 класу
Програма предмет Фізико-хімічні основи матеріалознавства (Р-32) iconПрограма предмет "Фізика поверхневих явищ"
Чистота реальної поверхні. Фізичні і хімічні неоднорідності. Методи перевірки чистоти поверхні. Методи отримання атомарно однорідних...
Програма предмет Фізико-хімічні основи матеріалознавства (Р-32) iconПрограма предмет Системи І методи захисту інформації (П-5)
В курсі розглянуто питання інформаційної безпеки в автоматизованих системах обробки даних, в тому числі захист інформації в комп’ютерних...
Програма предмет Фізико-хімічні основи матеріалознавства (Р-32) iconПрограма предмет Фізичні основи мікро- та нанотехнологій (Р-42)
Представлено основні досягнення нанонауки та прикладних її застосувань. Сформульовано перспективні шляхи нанофізики та наноматеріалознавства,...
Програма предмет Фізико-хімічні основи матеріалознавства (Р-32) iconПрограма Предмет: Основи радіоелектроніки
Даний курс присвячений розгляду різноманітних методів опису та перетворення радіотехнічних сигналів, що використовуються при фізичних...
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©te.zavantag.com 2000-2017
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи